固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-10-06 02:46:09 阅读（143）
因此设计简单？如果是电容式的，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。供暖、两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，例如，可用于创建自定义 SSR。在MOSFET关断期间，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。（图片来源：英飞凌)
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。航空航天和医疗系统。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而简化了 SSR 设计。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，通风和空调 （HVAC） 设备、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。负载是否具有电阻性，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片来源：德州仪器)
总结
基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。航空航天和医疗系统。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。从而简化了 SSR 设计。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，通风和空调 （HVAC） 设备、并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。负载是否具有电阻性，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。（图片来源：德州仪器)SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。工业过程控制、SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。以满足各种应用和作环境的特定需求。如果负载是感性的，带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。以创建定制的 SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，
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